[发明专利]单原胞层二硒化钨薄膜及其生长方法有效
| 申请号： | 202010580318.7 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111690897B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张翼;陈望 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/30;C23C14/58;C30B29/46;C30B29/64;C30B23/02 |
| 代理公司： | 江苏瑞途律师事务所 32346 | 代理人： | 王玉姣;陈彬 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种超高真空腔体环境下通过分子束外延技术手段生长单原胞层二硒化钨薄膜并实现1T’和2H两种结构相的选择控制生长方法。具体为：选择适当的衬底，在分子束外延生长二硒化钨期间，通过精确控制衬底温度和生长时间，可以有效控制生长出100％单一结构相的1T’‑WSe |
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| 搜索关键词： | 单原胞层二硒化钨 薄膜 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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