[发明专利]具有掺杂表面的设备以及使用原位掺杂的相关方法在审
| 申请号： | 202010579990.4 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112151363A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | J·古哈;S·卡沙夫;S·普鲁古瑞塔;M·K·阿赫塔尔;J·B·弗劳奈克;A·J·斯赫林斯凯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及具有掺杂表面的设备和使用原位掺杂的相关方法。如电子装置等设备和其结构包含基底(例如，半导体)材料的至少一个掺杂表面。所述至少一个掺杂表面的掺杂剂沿所述表面集中，从而限定了所述基底材料上或其中的厚度不超过约一个原子层。用于形成所述掺杂表面的方法涉及在相同的材料去除工具内对所述基底材料的暴露表面进行原位气相掺杂，所述相同的材料去除工具用于形成至少一个开口，所述至少一个开口至少部分地由所述基底材料限定，并且要将所述掺杂剂引入到所述至少一个开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 表面 设备 以及 使用 原位 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010579990.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于存储器系统的有效负载验证
- 下一篇：在封装元件上具有触摸电极的显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
