[发明专利]一种半导体晶片的激光加工方法及系统在审
| 申请号： | 202010576343.8 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113894426A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王亭入;卢建刚;李春昊;柳啸;陈畅;任达;巫礼杰;尹建刚;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/53 |
| 代理公司： | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人： | 汪琳琳 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于激光加工技术领域，涉及一种半导体晶片的激光加工方法及采用该方法的系统，该方法包括：生成第一激光束，调节其焦点至半导体晶片的上表面，控制第一激光束的焦点沿预先设定的至少一条切割轨迹运动，去除半导体晶片的上表面在所述切割轨迹上的镀膜层；生成第二激光束，调节其焦点至半导体晶片内部，控制第二激光束的焦点在半导体晶片内部沿所述切割轨迹运动，形成至少一个改质层，使改质层沿着半导体晶片的厚度方向形成扩展裂纹；对加工后的半导体晶片进行裂片处理。通过本方案，可在半导体晶片较厚且半导体晶片表面镀有激光无法穿透或透过率极低的膜层的情况下，避免切割过程中产生明显崩边甚至损伤晶粒的问题，从而提高分片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 激光 加工 方法 系统 | ||
【主权项】：
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