[发明专利]晶圆的处理方法及激光退火装置在审
| 申请号： | 202010575940.9 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113903653A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘智龙;贺晓彬;刘金彪;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆的处理方法及激光退火装置，该处理方法通过激光退火装置来实现，该方法包括：用有机溶剂清洗晶圆斜面部位；将清洗好的晶圆放置在所述激光退火装置的承载部上；调整晶圆与所述激光退火装置的激光出口的相对位置从而设定激光曝光位置；旋转晶圆，同时利用激光对所述激光曝光位置进行曝光；完成曝光后，冷却晶圆。本申请提供的晶圆的处理方法，利用激光退火工艺来减少或去除在晶圆边沿或斜面部位的细微裂纹，将非晶硅转换成多晶硅，提高了晶圆密度，大大降低了晶圆破裂发生的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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