[发明专利]一种超薄晶圆加工工艺有效
| 申请号： | 202010566930.9 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111599754B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超薄晶圆加工工艺，具体包括以下步骤：S1、形成ILD层；S2、蚀刻接通孔；S3、在接通孔侧壁形成Ti‑TiN镀层；S4、完成W‑Plug的制作；S5、键合玻璃板；S6、晶圆背面减薄,然后植入离子；S7、解键合，除去粘接剂；S8、回火加热处理；S9、晶圆正面进行金属镀膜、黄光及蚀刻；S10、晶圆背面制作反面金属镀膜；S11、进行金属加热工艺，形成欧姆接触；S12、涂布光阻剂，使切割道暴露出来，将晶圆固定到切割膜框上蚀刻，得到超薄晶圆。本发明在键合玻璃载板的晶圆先做减薄，再制成缓坡状或阶梯状的边缘处理的晶圆，然后进行离子注入，解键合后再热处理，克服键合材料无法承受热处理及金属铝制程工序中的高温条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
