[发明专利]一种聚变装置中原位制备钨膜的方法

摘要

本发明提供了一种聚变装置中原位制备钨膜的方法，包括：将聚变装置内部的腔室加热至预设温度，并向所述腔室中通入预设比例的氢气和钨源；设定射频电源的功率和直流电源的电流，利用射频辉光放电和直流辉光放电产生的等离子体提供能量，使氢气和六氟化钨发生化学反应生成钨，即可在所述聚变装置腔室内壁表面原位沉积钨膜。本发明利用射频与直流结合的等离子体辅助化学气相沉积镀膜法在聚变装置内部镀钨，实现了低温原位的整体钨膜制备，简化了操作步骤，且本方法制备的钨膜能够一次性完全覆盖腔室内部，获得的钨膜更加均匀、完整。