[发明专利]一种咔唑基低带隙共轭聚合物及其有机电存储器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010562038.3 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113754865B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 仲华;陈雪峰;王淑红;张洪岩;郑荣荣;汪成;马东阁;虢德超 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H10K10/50;H10K85/10 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 刘冬梅;范国锋 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种咔唑基低带隙共轭聚合物，由氮烷基咔唑类单体、卤代苯并咪唑类单体和卤代三苯胺类单体聚合而成，并以该共轭聚合物作为活性层制备了有机电存储器件。该咔唑基低带隙共轭聚合物具有良好的分子内电荷传输性能。由其制备的有机电存储器件开关电流比高，存储密度大，功耗低，可进行多次循环读写，具备优异的三进制电存储性能，在信息存储领域中具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 咔唑基低带隙 共轭 聚合物 及其 机电 存储 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江大学，未经黑龙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010562038.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
