[发明专利]用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路有效

专利信息
申请号: 202010560967.0 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN111654649B 公开(公告)日: 2023-02-17
发明(设计)人: 金毓奇;曾夕;温建新;皮常明;连夏梦 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: H04N25/76 分类号: H04N25/76;H04N25/77;H04N25/78
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路,包括加法电路和比较电路,在地址译码过程中一共有两条地址数据通路,其一是由外部输入的高N位外部实际地址数据通路,其二是由加法电路对人为初始地址不断累加形成的高N位内部参考地址数据通路。加法电路产生的高N位内部参考地址仅对复用像素控制子电路进行地址标记。通过比较电路比较高N位外部实际地址与加法电路本身累加的高N位内部参考地址进行使能操作,从而等效地实现了译码电路的功能,增大复用的灵活性。
搜索关键词: 用于 大面 拼接 cmos 图像传感器 像素 控制电路
【主权项】:
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