[发明专利]用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路

说明书

本发明提供了一种用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路，包括加法电路和比较电路，在地址译码过程中一共有两条地址数据通路，其一是由外部输入的高N位外部实际地址数据通路，其二是由加法电路对人为初始地址不断累加形成的高N位内部参考地址数据通路。加法电路产生的高N位内部参考地址仅对复用像素控制子电路进行地址标记。通过比较电路比较高N位外部实际地址与加法电路本身累加的高N位内部参考地址进行使能操作，从而等效地实现了译码电路的功能，增大复用的灵活性。

技术领域

本发明属于CMOS集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路。

背景技术

图像传感器的作用主要进行数字图像采集，将采集的光信号转变为电信号。CMOS图像传感器具有低功耗、低成本和兼容性高等优点，被广泛应用于航空航天、生物技术及消费电子领域中。随着消费者对图像大尺寸的追求，大面阵拼接CMOS图像传感器应用日益广泛。

而基于拼接制造工艺的CMOS图像传感器，为了实现多次重复使用复用单元从而达到像素扩展的目的，每级复用单元必须保证完全相同。每级复用单元如果使用传统的译码电路，则拼接后的整体电路将会产生译码紊乱的错误结果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路，给大面阵拼接CMOS图像传感器提供唯一的行像素的控制信号，增大复用的灵活性。

本发明提供一种用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路，包括：

R级复用像素控制子电路，每级所述复用像素控制子电路都包括译码器；

加法电路，其被配置为按R级所述复用像素控制子电路被选用的先后顺序，依次进行累加，所述累加获得的计数值作为区分R级所述复用像素控制子电路的高N位内部参考地址；

高N位外部实际地址；以及

比较电路，其被配置为将所述高N位内部参考地址与所述高N位外部实际地址比较；若相同，则触发使能，选通所述高N位内部参考地址对应的所述复用像素控制子电路的译码器，并开始译码产生行像素的控制信号；

其中，N和R均为自然数，且1≤R≤2^N。

进一步的，上一级所述复用像素控制子电路的所述高N位内部参考地址经过所述加法电路后加1，作为下一级所述复用像素控制子电路的所述高N位内部参考地址。

进一步的，所述加法电路的初始地址由所述复用像素控制子电路的外部输入，所述加法电路的所述初始地址为N位0。

进一步的，所述高N位外部实际地址从所述复用像素控制子电路的外部输入N位二进制编码，所述高N位外部实际地址以二进制形式依次输入十进制数0至R-1。

进一步的，所述译码器为M位，所述复用像素控制电路产生最多2^N+M行像素的控制信号。

进一步的，每级所述复用像素控制子电路产生L行像素的控制信号，所述复用像素控制电路产生最多2^N×L行像素的控制信号。

进一步的，所述R级复用像素控制子电路各自包括的译码器均相同。

进一步的，所述高N位内部参考地址与所述高N位外部实际地址比较，若不同，则所述高N位内部参考地址对应的所述复用像素控制子电路不响应任何地址信号。

进一步的，根据所述行像素的控制信号对相应行的像素进行曝光或读出控制。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：