[发明专利]用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路有效
申请号: | 202010560967.0 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111654649B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 金毓奇;曾夕;温建新;皮常明;连夏梦 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H04N25/76 | 分类号: | H04N25/76;H04N25/77;H04N25/78 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 大面 拼接 cmos 图像传感器 像素 控制电路 | ||
1.一种用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路,其特征在于,包括:
R级复用像素控制子电路,每级所述复用像素控制子电路都包括译码器;
加法电路,其被配置为按R级所述复用像素控制子电路被选用的先后顺序,依次进行累加,所述累加获得的计数值作为区分R级所述复用像素控制子电路的高N位内部参考地址;上一级所述复用像素控制子电路的所述高N位内部参考地址经过所述加法电路后加1,作为下一级所述复用像素控制子电路的所述高N位内部参考地址;
高N位外部实际地址;所述高N位外部实际地址从所述复用像素控制子电路的外部输入N位二进制编码,所述高N位外部实际地址以二进制形式依次输入十进制数0至R-1;以及
比较电路,其被配置为将当前的所述高N位内部参考地址分别与所述高N位外部实际地址0至R-1中的任意一个数比较;若相同,则触发使能,选通所述高N位内部参考地址对应的所述复用像素控制子电路的译码器,并开始译码产生行像素的控制信号;
其中,N和R均为自然数,且1≤R≤2N。
2.如权利要求1所述的用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路,其特征在于,所述加法电路的初始地址由所述复用像素控制子电路的外部输入,所述加法电路的所述初始地址为N位0。
3.如权利要求1所述的用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路,其特征在于,所述译码器为M位,所述复用像素控制电路产生最多2N+M行像素的控制信号。
4.如权利要求1所述的用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路,其特征在于,每级所述复用像素控制子电路产生L行像素的控制信号,所述复用像素控制电路产生最多2N×L行像素的控制信号。
5.如权利要求1至3任意一项所述的用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路,其特征在于,所述R级复用像素控制子电路各自包括的译码器均相同。
6.如权利要求1至3任意一项所述的用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路,其特征在于,所述高N位内部参考地址与所述高N位外部实际地址比较,若不同,则所述高N位内部参考地址对应的所述复用像素控制子电路不响应任何地址信号。
7.如权利要求1至3任意一项所述的用于大面阵拼接CMOS图像传感器的复用像素控制电路,其特征在于,根据所述行像素的控制信号对相应行的像素进行曝光或读出控制。
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