[发明专利]一种氮化镓单晶生长装置及生长方法在审

专利信息
申请号: 202010557426.2 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN111593398A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 乔焜;张新建 申请(专利权)人: 乔焜;张新建
主分类号: C30B7/10 分类号: C30B7/10;C30B29/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 730030 甘肃省*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 本申请公开了一种氮化镓单晶生长装置及生长方法,以实现氨热法生长高质量、大尺寸氮化镓单晶。氮化镓单晶生长装置包括生长容器、设置在生长容器外的机架及生长容器内的加热装置。生长容器筒体由内筒体和缠绕在内筒体外壁的扁钢丝或扁钢带组成;机架用于支撑生长容器并固定生长容器端盖以抵消容器内的超高压所造成的轴向力;加热装置用于加热生长容器内的氨溶剂;生长容器内部所有与氨溶剂接触的部位均存在防腐蚀衬套或防腐蚀层。所述氮化镓单晶生长方法通过在生长容器内设置隔板,将生长容器分割为生长区和原料区,加热装置分别加热生长区和原料区,使生长区和原料区之间存在温度差,从而使超临界氨溶剂在生长容器内产生对流以促使氮化镓单晶不断生长。本申请氮化镓单晶生长容器可以突破现有技术限制,内径达φ300mm及以上,可实现4”及以上氮化镓单晶的规模化生产,进而大大降低氮化镓单晶成本。
搜索关键词: 一种 氮化 镓单晶 生长 装置 方法
【主权项】:
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