[发明专利]一种钝化接触太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 202010554934.5 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111725359B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉;马丽敏;吴伟梁;陈程;刘志锋;林建伟 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 李托弟;朱黎光 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法。该制备方法包括：对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，激光器的功率为20～38W；清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；对晶体硅基体的双面进行钝化处理；对晶体硅基体的双面进行金属化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 接触 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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