[发明专利]一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备在审
| 申请号： | 202010553372.2 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111739937A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 程新红;刘少煜;郑理;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/285;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 魏峯;黄志达 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备方法，包括：将外延N型轻掺SiC层的SiC衬底清洗；在SiC衬底的外延层使用离子注入和退火的方式形成N+源区、P型沟道区和P+终端区；在外延层沉积高k栅介质层，然后沉积栅金属，并通过刻蚀图形化；在外延层沉积钝化层介质，并通过刻蚀图形化；在外延层和重掺衬底沉积低温欧姆接触金属层，退火形成欧姆接触；在外延层和重掺衬底加厚金属。该方法降低了栅界面处的碳簇密度，提高了沟道迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 介质 低温 欧姆 接触 工艺 sic mosfet 制备 | ||
【主权项】：
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