[发明专利]窄台面绝缘栅双极型晶体管器件及形成方法在审
| 申请号： | 202010548983.8 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113809145A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 季明华;林庆儒;吴盈璁;刘聪慧;杨龙康;王欢;张汝京 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种窄台面绝缘栅双极型晶体管器件及形成方法，器件包括：半导体衬底；形成于半导体衬底正面并沿水平方向间隔排列的栅极沟槽结构和发射极沟槽结构；其在排列方向上各自成对设置，且在排列方向上相互交叠；形成于成对的发射极沟槽结构之间的阱区；形成于栅极沟槽结构之间以及发射极沟槽结构之间的发射极注入区；在发射极沟槽结构之间的区域中，发射极注入区位于阱区上方。本发明在主动台面区不设置P型掺杂区，而在非主动台面区中形成P型掺杂区以及位于P型掺杂区上方的N+型掺杂区，不但通过引入窄台面区增强电子注入，获得了较低的器件导通电阻，也通过减少窄台面区的空穴浓度，增强了器件抗短路能力，消除了CIBL效应。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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