[发明专利]耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置在审

专利信息
申请号: 202010548393.5 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN113802094A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 孙祥;段蛟;陈星建;杜若昕 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/34;C23C14/02;C23C16/455;C23C14/08;C23C16/40;C23C28/04;H01J37/32
代理公司: 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 代理人: 文言;娄建平
地址: 200120 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及半导体加工技术领域,具体公开了一种耐腐蚀涂层的镀膜方法,通过在衬底表面种植晶种后再进行镀膜,晶种在镀膜过程中起诱导作用,解决了现有技术中衬底法线偏离靶材分子流运动方向情况下,耐腐蚀涂层晶格生长方向偏离衬底法线方向,涂层沉积不均匀,易脱落的缺陷,本发明方法形成的涂层晶格的生长方向与衬底表面的法线方向平行,具有高致密的特性,与衬底的结合力较强,降低了涂层的脱落风险。进一步地,还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置,通过上述方法在反应装置的反应腔内部的腔壁表面和等离子刻蚀零部件表面镀膜,得到的耐腐蚀涂层不易脱落,提升了刻蚀腔体环境的稳定性,提高工件服役寿命,提高了半导体刻蚀良率。
搜索关键词: 腐蚀 涂层 镀膜 方法 等离子体 刻蚀 零部件 反应 装置
【主权项】:
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