[发明专利]具有横向绝缘栅极双极性晶体管的功率元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010541819.4 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113451297A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄志丰;林容生 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有横向绝缘栅极双极性晶体管的功率元件及其制造方法。该功率元件形成于一半导体基板上，用以驱动一马达，包含：横向绝缘栅极双极性晶体管；PN二极管，与该横向绝缘栅极双极性晶体管并联；以及钳位二极管，具有钳位顺向端与钳位反向端，分别电连接于横向绝缘栅极双极性晶体管的漏极与栅极，以限制施加于栅极的栅极电压不高于预设电压阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 绝缘 栅极 极性 晶体管 功率 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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