[发明专利]湿法刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010541620.1 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111785623B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种湿法刻蚀方法包括步骤：步骤一、将晶圆竖直浸没在湿法刻蚀槽的化学溶液中进行湿法刻蚀；步骤二、在湿法刻蚀中，驱动化学溶液在湿法刻蚀槽内做如下槽内循环流动：步骤21、进行第一种循环流动，化学溶液从晶圆外的第一侧区域流动到晶圆外的第二侧区域中；步骤22、进行第二种循环流动，化学溶液从晶圆外的第二侧区域流动到晶圆外的第一侧区域中；槽内循环流动中，步骤21和步骤22交替进行。本发明能消除在晶圆的表面上产生溶液对冲区，从而能消除由溶液对冲所产生的刻蚀量加大和晶圆表面层粗糙度恶化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010541620.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电压控制电路及其控制方法
- 下一篇：BCD工艺中CMOS器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
