[发明专利]选通器件、阻变存储器及其操作方法

摘要

本发明公开了一种选通器件、阻变存储器及其操作方法，其中，该选通器件包括：底电极、阻变功能层、阻断选择层以及顶电极，阻变功能层设置于底电极上；阻断选择层设置于阻变功能层上；顶电极设置于阻断选择层上；其中，阻断选择层与阻变功能层之间电性串联，阻断选择层具有阻断特性，阻断特性为：在正常工作电流状态下具有导电性能，同时在超出正常工作电流的高工作电流状态下转变为低导电性能。本发明通过选通器件，实现了在偶发情况下交叉阵列中，即便存在旁路泄露电流效应也不会造成存储单元阵列操作失控，例如对其他存储单元出现误读或擦写操作时效等问题；同时，还有效控制了选通器件的面积尺寸，使得器件易于实现高密度集成。