[发明专利]分栅快闪存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202010530967.6 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111599814B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘冲;邹永金;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种分栅快闪存储器及其形成方法，在所述隧穿氧化层上生长多晶硅层并在所述多晶硅层中掺杂；所述多晶硅层的顶部不掺杂，或者，在厚度方向上，所述多晶硅层的顶部的掺杂浓度小于所述多晶硅层的底部的掺杂浓度；刻蚀所述多晶硅层形成字线层。多晶硅层被刻蚀的速率与多晶硅层的掺杂浓度正相关，多晶硅层的顶部不掺杂或者多晶硅层的顶部具有较小的掺杂浓度，如此一来，多晶硅层的顶部具有较低的刻蚀速率，这有利于凹陷高度的提高，从而增大形成字线层的厚度。字线层的厚度增加，有效解决分栅快闪存储器编程串扰失效问题；同时，字线层的厚度增加，源漏离子注入时将不会穿透字线层，增大源漏离子注入的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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