[发明专利]包含存取线结构的设备及相关方法及电子系统在审
申请号: | 202010528544.0 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN112216699A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 寺田忍 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本专利申请案涉及一种包含存取线结构的设备及相关方法及电子系统。一种设备包括存储器阵列,所述存储器阵列包括字线、位线及存储器单元。每一存储器单元耦合到所述字线中的相关联者及所述位线中的相关联者。所述字线中的每一者埋入于衬底中且包括下导电材料、上导电材料及所述下导电材料与所述上导电材料之间的所述下导电材料的氧化材料。在额外实施例中,所述设备包括存取线、数字线及存储器单元。所述存取线包括第一导电材料与第二导电材料之间的经氧化材料,所述经氧化材料包括所述第一导电材料的氧化物。还揭示形成所述设备及电子系统的方法。 | ||
搜索关键词: | 包含 存取 结构 设备 相关 方法 电子 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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