[发明专利]包含存取线结构的设备及相关方法及电子系统

说明书

本专利申请案涉及一种包含存取线结构的设备及相关方法及电子系统。一种设备包括存储器阵列，所述存储器阵列包括字线、位线及存储器单元。每一存储器单元耦合到所述字线中的相关联者及所述位线中的相关联者。所述字线中的每一者埋入于衬底中且包括下导电材料、上导电材料及所述下导电材料与所述上导电材料之间的所述下导电材料的氧化材料。在额外实施例中，所述设备包括存取线、数字线及存储器单元。所述存取线包括第一导电材料与第二导电材料之间的经氧化材料，所述经氧化材料包括所述第一导电材料的氧化物。还揭示形成所述设备及电子系统的方法。

优先权主张

本申请案主张2019年7月9日申请的题为“包含存取线结构的设备及相关方法及电子系统(APPARATUS INCLUDING ACCESS LINE STRUCTURES AND RELATED METHODS ANDELECTRONIC SYSTEMS)”的序列号为16/506,704的美国专利申请案的申请日期的权益。

技术领域

本文中揭示的实施例涉及电子装置及电子装置制造。更特定来说，本发明的实施例涉及包含存取线结构的设备，且涉及相关电子系统及形成所述设备的方法。

背景技术

存储器装置，例如动态随机存取存储器(DRAM)装置，包含众多存储器单元，其中每一存储器单元存储一个信息位。存储器单元包含存储器存储元件(例如电容器)及可操作地耦合到所述存储器存储元件的存取装置(例如晶体管)。晶体管的源极区域或漏极区域经电连接到电容器端子中的一者。源极区域或漏极区域中的另一者及晶体管的栅极电极分别经连接到数字线(例如位线)及存取线(例如字线)。另外，另一电容器端子经连接到参考电压。晶体管包含源极区域与漏极区域之间的沟道区域，且进一步包含经配置以通过所述沟道区域将源极区域及漏极区域彼此连接的栅极。沟道区域包含半导体材料，例如硅。存储器单元经布置于行与列的矩阵中。

随着DRAM技术的进步，存储器单元已经按比例缩小以增加存储器单元的密度。密度增加增加了DRAM装置的存储容量。然而，增加的密度也会导致邻近字线之间的空间减小，这会增加邻近字线之间的耦合效应。举例来说，当矩阵中的行(例如字线)被重复激活及刷新时，噪声可能会被注入到邻近行(例如受害行)中，使得在受害行中的一或多个存储器单元中可能会发生数据损坏。行的重复激活及刷新称为行锤击效应。当执行刷新命令以刷新邻近经锤击字线的字线时，会发生所谓的“行锤击事件”。当经由存储器存取操作(例如有效命令)以潜在地导致邻近字线中的数据错误的方式存取特定字线时，所述特定字线被“锤击”。由行的锤击引起的泄漏及寄生电流可导致未存取的物理邻近行(例如受害行)中的数据损坏。

减少行锤击对邻近行的不利影响的一些方法包含响应于确定行锤击事件已发生而刷新邻近行。举例来说，响应于确定特定行已成为重复存取的目标(例如，行在刷新周期内已经受超过阈值数目个存取)，可针对目标刷新操作选择物理邻近相邻行，所述目标刷新操作可称为行锤击刷新操作。然而，在常规DRAM装置中，行锤击性能不足。

发明内容

本文中揭示的实施例涉及一种设备，其包括存储器阵列，所述存储器阵列包括字线、位线及存储器单元。每一存储器单元耦合到所述字线中的相关联者及所述位线中的相关联者。所述字线中的每一者埋入于衬底中且包括下导电材料及上导电材料。所述下导电材料的氧化材料在所述下导电材料与所述上导电材料之间。

本文中揭示的额外实施例涉及一种设备，其包括存取线、数字线及存储器单元。所述存取线包括第一导电材料与第二导电材料之间的经氧化材料。所述经氧化材料包括所述第一导电材料的氧化物。

在又额外实施例中，揭示一种形成设备的方法，且所述方法包括在基底材料的沟槽中形成第一导电材料。使所述第一导电材料的部分氧化以在所述沟槽中形成经氧化材料。在所述沟槽中形成第二导电材料，及移除所述第二导电材料的部分以使所述第二导电材料在所述沟槽中凹进。