[发明专利]一种基于反应离子刻蚀的钽酸锂微图形化方法在审
| 申请号： | 202010526107.5 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111627811A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 曹明才;钟志亲;罗文博;李茂荣;戴丽萍;王姝娅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 白小明 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于反应离子刻蚀的钽酸锂微图形化方法，属于半导体技术领域，具体涉及钽酸锂晶体微图形化，以解决各层材料间应力较大使图案易被破坏的问题，包括：在光刻胶表面依次镀Ti金属掩膜和Cr金属掩膜；用剥离法在钽酸锂基底表面制备出金属掩膜图案；采用氟基等离子体对制备出金属掩膜图案的钽酸锂基底进行反应离子刻蚀；采用氩等离子体对钽酸锂基底进行30s‑2min物理轰击，以去除在样品表面形成的氟化锂和氟化钽酸盐等高沸点难挥发性物质；重复上述刻蚀步骤，直至完成钽酸锂基底的微图形化。在钽酸锂基底上制作微米级深度的图形，同时达到图形的侧壁倾角大，沟槽表面光滑的目的，得到较高的金属掩膜的选择比，刻蚀深度较深。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反应 离子 刻蚀 钽酸锂微 图形 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010526107.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
