[发明专利]半导体存储装置及预充电方法在审
| 申请号： | 202010522760.4 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782083A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 冈部翔 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种既能抑制预充电动作时的波峰电流，又能实现读出时间的缩短的半导体存储装置。本发明的NAND型快闪存储器的位线的预充电方法是在时刻(t1)，使晶体管(BLPRE)导通，对读出节点(SNS)供给预充电用电压，在时刻(t2)，使连接于读出节点(SNS)且用于生成钳位电压的晶体管(BLCLAMP)与连接于节点(BLS)的晶体管(BLCN)导通，在时刻(t3)，使连接在节点(BLS)与位线(GBLe/GBLo)之间的晶体管(BLSe/BLSo)导通，对位线进行预充电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 充电 方法 | ||
【主权项】：
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