[发明专利]一种基体分离N型功率管ESD电路和设置方法有效
| 申请号： | 202010518890.0 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111696982B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 黄勍隆;冯显声;闸钢 | 申请（专利权）人： | 深圳能芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基体分离N型功率管ESD电路和设置方法，电路包括功率管的源极或漏极与主体之间存在寄生二极管，寄生二极管的正极连接主体，二极管的负极连接源极或漏极；主基体、地、N型隔离环之间存在有寄生PNP三极管，PNP三极管的发射极连接主体，其集电极连接地，基极连接N型隔离环，其基极与电源端之间连接有单向限流电路，用于限定电源端的电流流向PNP三极管的基极。本申请通过设置单向限流电路，限制流向寄生PNP三极管的电流，保证ESD时寄生PNP三极管截止，实现ESD时不破坏功率管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基体 分离 功率管 esd 电路 设置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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