[发明专利]PbS薄膜的敏化方法、红外光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010515219.0 申请日: 2020-06-08
公开(公告)号: CN112310242B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 杨斌;孙景;潘安练 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/101;H01L31/0216;H01L21/02
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理有限公司 11613 代理人: 齐胜杰
地址: 410000 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种新的用于PbS薄膜的敏化方法,该方法是对PbS薄膜进行紫外臭氧处理实现PbS薄膜的敏化。本发明还涉及一种基于PbS薄膜的红外光电探测器及制备方法,所述探测器包括导电玻璃或硅片衬底层、p型半导体层、n型半导体层、缓冲层和电极层;所述p型半导体层为经过紫外臭氧敏化处理的PbS薄膜;所述n型半导体层为富勒烯C60或其衍生物。本发明采用UVO敏化处理,敏化温度低,耗能少、操作简单、敏化效果显著。此外,本发明为一种具有二极管结构的可室温工作的高灵敏红外光电探测器,其比探测率明显优于传统光敏电阻式探测器。
搜索关键词: pbs 薄膜 方法 红外 光电 探测器 及其 制备
【主权项】:
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