[发明专利]PbS薄膜的敏化方法、红外光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于PbS薄膜的敏化方法，其特征在于，所述方法是对PbS薄膜进行紫外臭氧处理钝化PbS薄膜中的缺陷，实现PbS薄膜的敏化；

所述紫外臭氧处理为采用波长为185nm的紫外光对处于含氧气环境下的PbS薄膜进行照射；然后采用波长为254nm的紫外光对处于含氧环境下的PbS薄膜进行照射；

所述紫外臭氧处理的温度为30℃。

2.根据权利要求1所述的敏化方法，其特征在于，采用紫外臭氧处理实现敏化。

3.根据权利要求1所述的敏化方法，其特征在于，所述紫外臭氧处理的时间为10-30min。

4.根据权利要求1所述的敏化方法，其特征在于，所述PbS薄膜是在采用化学水浴沉积法或物理沉积法制备得到的PbS薄膜，并将该PbS薄膜在空气中于120-130℃退火0.5-2h促进晶粒长大，然后进行紫外臭氧处理。

5.一种基于PbS薄膜的红外光电探测器，其特征在于，其包含导电玻璃或硅片衬底层、p型半导体层、n型半导体层、缓冲层和电极层；其中：所述p型半导体层为PbS薄膜，该PbS薄膜为采用权利要求1-4任一项所述敏化方法处理的PbS薄膜；所述n型半导体层为富勒烯C60或其衍生物。

6.根据权利要求5所述的红外光电探测器，其特征在于，缓冲层为BCP，所述电极层为Cu膜，所述导电玻璃或硅片衬底层为ITO。

7.根据权利要求5所述的一种基于PbS薄膜的红外光电探测器的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：

S1：在导电玻璃或硅片衬底上制得PbS薄膜；

S2:将上述导电玻璃或硅片衬底及PbS薄膜进行紫外臭氧敏化处理；

S3:在PbS薄膜表面制备C60或其衍生物薄膜；

S4：在所述C60或其衍生物薄膜表面形成BCP薄膜；

S5：在所述BCP薄膜表面形成金属导电膜。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1是上采用化学水浴沉积方法制得所述PbS薄膜，并将PbS薄膜在空气中于120-130℃退火0.5-2h。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述PbS薄膜的厚度为500-700nm；所述C60或其衍生物薄膜的厚度为50-200nm；所述BCP薄膜的厚度为5-50nm，所述金属导电膜的厚度为50-300nm。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

步骤S3-S4是在高真空热蒸发镀膜机内在不超过8*10^-4Pa的压力下蒸镀沉积，得到所述C60或其衍生物薄膜和所述BCP薄膜；

所述步骤S5是在高真空热蒸发镀膜机内在不超过4*10^-4Pa的压力下蒸镀沉积，得到所述金属导电膜。