[发明专利]鳍状结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010493391.0 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN111564371B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 沈文骏;傅思逸;吴彦良;刘家荣;洪裕祥;张仲甫;吕曼绫;陈意维 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种鳍状结构及其制造方法，该鳍状结构包含有一基底，具有一第一鳍状结构位于一第一区，以及一第二鳍状结构位于一第二区，其中第二鳍状结构包含一阶梯状的剖面结构部分。本发明也提供二种形成此鳍状结构的方法。例如，提供一基底，具有一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构。接着，进行一处理制作工艺，将第二鳍状结构的顶部的一外表面改质，而形成一改质部。其后，进行一移除制作工艺，经由对于第一鳍状结构以及第二鳍状结构与对于改质部的高移除选择比，而移除改质部，因而形成具有一阶梯状的剖面结构部分的第二鳍状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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