[发明专利]源极跟随管及CMOS传感器的形成方法

摘要

本发明提供了一种源极跟随管及CMOS传感器的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有源区和与所述有源区相邻的浅沟槽隔离结构；在所述有源区内形成埋沟通道，所述埋沟通道的两侧到所述浅沟槽隔离结构均具有一定的距离；在所述有源区的衬底上形成栅氧化硅；在所述栅氧化硅和所述浅槽隔离结构上形成栅极结构。在本发明提供的源极跟随管及CMOS传感器的形成方法中，埋沟通道到浅沟槽隔离结构具有一定距离，使得埋沟通道中的载流子远离浅沟槽隔离结构的界面，利用形成的空间电荷区来降低浅沟槽隔离结构的界面对于载流子的影响。从而改善CMOS传感器的抗噪声能力和提高CMOS传感器获得的图像的质量。