[发明专利]脉冲微波及射频电磁感应两段式晶体生长退火装置在审

专利信息
申请号: 202010474486.8 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111621853A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 汤朝晖;陶泽超;李俊 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 郑勤振
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 公开了一种脉冲微波及射频电磁感应两段式晶体生长退火装置。所述装置包括:外壳,内具有密闭的加热腔,所述外壳上具有检测所述加热腔真空度的真空计、向所述加热腔充气的进气口和排出所述加热腔气体的排气口;金属材质载物台,位于所述加热腔内并可上下移动;等离子体加热系统,用于产生周期性变化的等离子体球以对所述载物台上的晶体进行周期性的加热;以及电磁感应加热系统,包括与所述载物台连接的金属棒,缠绕在所述金属棒上的线圈,与所述线圈连接的射频电源,以及屏蔽电磁波对等离子体球干扰的电磁屏蔽件。本公开使用两段式加热方式,脉冲微波产生的等离子体对晶体产生周期性的退火,电磁感应加热提高晶体的温度下降下限。
搜索关键词: 脉冲 微波 射频 电磁感应 段式 晶体生长 退火 装置
【主权项】:
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