[发明专利]基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元在审
| 申请号： | 202010470224.4 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112017708A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张一平;张曼 | 申请（专利权）人： | 苏州仙林力齐电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24 |
| 代理公司： | 苏州吴韵知识产权代理事务所(普通合伙) 32364 | 代理人： | 王铭陆 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元，包括基于FinFET工艺构成的新型DICE抗辐照单元，所述新型DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，采用存储数值相同的两端同时进行写操作，单端读的方式同时使用传输门做传输管，所述电路的两侧通过闸门控制电路的接通与断开。通过上述方式，本发明能够抗单粒子翻转，同时还能提高存储单元的读静态噪声容限(RSNM，Read Static Noise Margin)和写余量(WM，Write Margin)。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 finfet 工艺 新型 dicepg 辐照 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州仙林力齐电子科技有限公司，未经苏州仙林力齐电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010470224.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控制用户选择队列
- 下一篇：基板处理方法以及基板处理装置
