[发明专利]半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法在审
申请号: | 202010469361.6 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN112289367A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 金尚玧;徐宁焄;权慧贞;李明奎;赵诚慧 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了半导体存储装置和操作半导体存储装置的方法。所述半导体存储装置包括存储单元阵列、ECC引擎、至少一个电压发生器和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括耦接到字线和位线的多个存储单元以及感测存储在所述多个存储单元中的数据的多个读出放大器。所述ECC引擎从所述存储单元阵列的目标页面读取存储数据,对所述存储数据执行ECC解码,基于所述ECC解码,检测所述存储数据中的错误,并输出与所述错误相关联的错误信息。所述至少一个电压发生器分别向所述多个读出放大器提供驱动电压。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎,以及基于包括所述错误信息的错误模式信息,控制所述至少一个电压发生器增大所述多个读出放大器中的每个读出放大器的操作容限。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 操作 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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