[发明专利]一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法在审
| 申请号： | 202010462838.8 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111600461A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘志珍;宗沙沙 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M1/32;H02M1/38 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 董雪 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法，包括SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂；在每一个桥臂的SiC MOSFET栅极和源极之间，分别并联防直通电阻和由辅助三极管与辅助电容组成的串联防直通支路。本发明能够有效降低在高开关频率下由于器件的快速开通关断产生的正向桥臂串扰与负向桥臂串扰现象，以提高SiC MOSFET桥式电路的工作可靠性，同时不增加电路复杂度以及在正常工作情况下对电路的开关速度没有任何影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 sic mosfet 桥臂串扰 抑制 驱动 电路 方法 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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