[发明专利]快闪存储器及其控制方法有效
| 申请号： | 202010461072.1 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN112102866B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 荒川贤一;冈部翔 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08;G11C16/24;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种寻求存储单元临界值分布安定化的高信赖性的快闪存储器及控制方法。本发明的存储器包括：多个存储平面，各所述存储平面包括多个NAND字串，各所述NAND字串在选择晶体管与存储单元之间配置虚拟单元；快闪存储器的NAND字串包含：源极线侧选择晶体管，源极线侧的虚拟单元，多个存储单元，位线侧的虚拟单元，以及位线侧选择晶体管。本发明的快闪存储器控制方法包含：在所选择的区块抹除后，对连接该区块的虚拟单元的虚拟字线施加编程电压，以将虚拟单元编程为编程状态之步骤。根据本发明，通过将NAND字串当中的虚拟单元编程为编程状态，能够在非操作时或非选择时，抑制流入NAND字串这种不期望的电流产生。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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