[发明专利]碳纳米管薄膜悬空的场效应晶体管及晶体管制造方法在审
| 申请号： | 202010450348.6 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113725362A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡金钟;孙连峰;任红轩;池建义 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心;中国科学院包头稀土研发中心 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张秀程 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及晶体管技术领域，公开了碳纳米管薄膜悬空的场效应晶体管及晶体管制造方法。本发明实施例提供的碳纳米管薄膜悬空的场效应晶体管包括基底；位于基底上的第一绝缘层；位于第一绝缘层上的第一源极、第一漏极；位于第一源极、第一漏极上的碳纳米管薄膜，碳纳米管薄膜悬空于第一源极与第一漏极之间的间隔区域上；位于碳纳米管薄膜上方的第二源极、第二漏极；位于碳纳米管薄膜上的第二绝缘层；位于第二绝缘层上的顶栅极。可见，本发明实施例可将碳纳米管薄膜悬空，可以避免基底对导电沟道的影响，从而解决了传统碳纳米管薄膜FET中基底影响导电沟道性能的技术问题；同时，还可降低薄膜与电极的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜 悬空 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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