[发明专利]一种MoV合金薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010443555.9 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111424251B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 赵婧;赵彬;潘晓龙;田丰;吴金平;邱龙时;张于胜 | 申请（专利权）人： | 西安稀有金属材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/50;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 马小燕 |
| 地址： | 710016 陕西省西安市西安经济*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MoV合金薄膜的制备方法，先采用磁控溅射共沉积法制备沉积态的MoV合金薄膜，然后经高真空623K退火处理，得到MoV合金薄膜。本发明采用金属钒对钼进行合金化，结合采用磁控溅射共沉积法制备沉积态的MoV合金薄膜，显著提高了金属Mo的强度和室温韧性，且通过调控磁控溅射共沉积过程有效控制了MoV合金薄膜的性能，扩大了金属Mo作为薄膜材料的应用范围，延长了保护部件的寿命，实用性强，易于实现工业推广，且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mov 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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