[发明专利]一种MoV合金薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种MoV合金薄膜的制备方法，其特征在于，先采用磁控溅射共沉积法制备沉积态的MoV合金薄膜，然后经高真空623K退火处理，得到MoV合金薄膜，所述MoV合金薄膜的制备方法包括以下步骤：

步骤一、将单面抛光的单晶Si(100)基片进行清洁处理，然后放置于超高真空磁控溅射设备的基片台上，再将Mo靶材、V靶材安置在超高真空磁控溅射设备的靶材座上，且Mo靶材连接直流电源，V靶材连接射频电源；

步骤二、打开基片台的旋转按钮，使步骤一中放置在基片台上的单晶Si(100)基片旋转，同时打开偏压电源，对基片台施加负偏压，然后打开控制Mo靶材的直流电源和控制V靶材的射频电源，并通过调节直流电源和射频电源的溅射功率控制Mo、V的原子配比，使Mo靶材、V靶材溅射出的Mo粒子、V粒子共沉积在单晶Si(100)基片的抛光面上，形成沉积态的MoV合金薄膜；所述直流电源的单靶溅射功率为100W，射频电源的单靶溅射功率为5W～9W，所述Mo和V的原子配比为(95.5～97.7):(2.3～4.5)；

步骤三、将步骤二中形成的沉积态的MoV合金薄膜放置于真空退火炉中，并将真空退火炉中的压力调节至高真空状态，然后升温至623K保温30min，再随炉冷却，得到MoV合金薄膜；所述MoV合金薄膜的厚度为1μm～1.2μm。

2.根据权利要求1所述的一种MoV合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中所述清洁处理的过程为：将单面抛光的单晶Si(100)基片依次采用丙酮和无水乙醇分别超声清洗30min，然后采用去离子水清洗10min至洁净，再用吹风机从洁净的单晶Si(100)基片的非抛光面进行吹干。

3.根据权利要求1所述的一种MoV合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中所述Mo靶材和V靶材的质量纯度为99.99％。

4.根据权利要求1所述的一种MoV合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二中所述单晶Si(100)基片旋转的速度为1圈/分钟，负偏压为80V。

5.根据权利要求1所述的一种MoV合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二中所述Mo粒子、V粒子共沉积的过程为：采用每沉积15min间歇5min的模式循环8次。

6.根据权利要求1所述的一种MoV合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三中所述高真空状态的压力为1×10^-6Pa。