[发明专利]一种紫外LED芯片外延结构及其制备方法、芯片在审
| 申请号： | 202010440904.1 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111564544A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED芯片外延结构，其包括：衬底；设于所述衬底上的外延层；所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层上的折射层；设于所述折射层上的电流扩展层；所述折射层的折射率小于所述第二半导体层的折射率。本发明还公开了上述紫外LED芯片外延结构的制备方法以及应用上述外延结构的LED芯片。实施本发明，可有效降低紫外LED芯片的全反射效应，提升光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 芯片 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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