[发明专利]一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路有效
| 申请号： | 202010438104.6 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111879989B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王来利;杨成子;刘星烁;李华清;于龙洋 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路，包括补偿电阻、补偿电感、电流采样电阻、总寄生电感、电压源、第一SiC MOSFET管及第二SiC MOSFET管，其中，电压源、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、总寄生电感及电流采样电阻依次组成串联回路，补偿电阻与补偿电容组成补偿支路，电流采样电阻与总寄生电感组成的支路与补偿支路并联连接，该检测电路能够有效的避免寄生电感对电流采样电阻检测性能的影响，且成本较低，体积较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 sic mosfet 电流 检测 电路 | ||
【主权项】：
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