[发明专利]一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路有效
| 申请号： | 202010438104.6 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111879989B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王来利;杨成子;刘星烁;李华清;于龙洋 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 sic mosfet 电流 检测 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路，其特征在于，包括补偿电阻、补偿电感、电流采样电阻、总寄生电感、电压源、第一SiC MOSFET管及第二SiC MOSFET管，其中，电压源、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、总寄生电感及电流采样电阻依次组成串联回路，补偿电阻与补偿电感组成补偿支路，电流采样电阻与总寄生电感组成的支路与补偿支路并联连接；
补偿支路上的电流id到补偿电阻两端电压Vsc的传递函数模型为：
其中，LS为总寄生电感的电感值，RC为补偿电阻的阻值，RS电流采样电阻的阻值，LC为补偿电感的电感值；
当LC＞＞LS,RC＞＞RS且LC/RC＝LS/RS，则有Gsc0(s)被简化为：
Gsc0(s)＝RS (2)
补偿电感的电感值小于等于4.7μH且大于470nH；
补偿电感的自谐振频率高于50MHz。
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