[发明专利]一种基于极化效应的AlGaN-MSM探测器结构及其制备方法

摘要

本发明为一种基于极化效应的AlGaN‑MSM探测器结构及其制备方法。一种基于极化效应的AlGaN‑MSM探测器结构，其沿着外延生长方向依次包括：衬底101、缓冲层102、吸收层103；吸收层以上的部分为以下两种形式之一：第一种为：吸收层的一侧覆盖有极化薄层，吸收层的另一侧覆盖有肖特基电极；极化薄层的表面还覆盖有欧姆电极；或者，第二种为：吸收层的两侧分别覆盖有左极化薄层和右极化薄层，左极化薄层和右极化薄层表面分别覆盖有欧姆电极。本发明中基于极化效应的AlGaN‑MSM探测器结构，生产成本低，制作工艺简单可靠，易于生产，可应用于紫外探测等领域。