[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010424255.6 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111554568A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 廖佳佳;杨婉贞;周益春;廖敏;曾斌建 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 张春慧 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种氧化铪基铁电薄膜的制备方法，包括：在基底上沉积氧化铪基薄膜；并在氧化铪基薄膜的上表面沉积覆盖层后，基于退火装置在电场作用下进行退火处理，得到结晶状的大面积单相氧化铪基铁电薄膜，包括在退火处理的不同时间段有选择的施加电场；其中，退火处理包括升温、保持温度和降温三个不同时间段。通过在对氧化铪基铁电薄膜进行退火处理的同时施加电场，控制氧化铪基铁电薄膜结晶过程中的能量场，改善薄膜的质量，使得氧化铪基铁电薄膜具有大面积正交相，铁电性强；当薄膜面积缩小时，也能保持较好的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 铪基铁电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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