[发明专利]一种低暗计数率的单光子雪崩二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低暗计数率的单光子雪崩二极管及其制作方法，属于单光子探测技术领域。该单光子雪崩二极管包括设置在衬底上的P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置N型隔离区，在所述的N型隔离区的两侧对称设置N阱区，在所述的N阱区的顶部同轴设置N+重掺杂区，在所述的N型隔离区上方同轴设置中心N型区，在所述的中心N型区上方设置P阱区，在所述的P阱区内部同轴设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区两侧对称设置P型保护环区。本发明采用P阱中心区、P型外延层中心区与中心N型区形成雪崩区，有利于降低雪崩区电场，抑制隧穿效应的产生，显著降低器件的暗计数率。