[发明专利]一种磷化铟晶体及其生长方法有效
| 申请号： | 202010413756.4 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111472047B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 谢欣荣;狄聚青;李京振 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/04 | 分类号： | C30B28/04;C30B15/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磷化铟晶体的生长方法，所述生长方法，先后包括多晶合成过程和单晶生长过程；所述多晶合成过程中，In与P的摩尔比不低于3:1。本申请中磷化铟晶体的生长方法，对现有的晶体生长法进行了改进，通过控制In与P的摩尔比，无需使用高压多晶合成炉和高压晶体生长炉，而在大气压多晶合成炉和大气压晶体生长炉中实现晶体的多晶合成和单晶生长，大大降低所生长的晶体的成本，而且更加安全可靠；同时，所得磷化铟单晶中位错密度低，没有铟夹杂、空洞、孪晶等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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