[发明专利]一种磷化铟晶体及其生长方法有效
| 申请号： | 202010413756.4 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111472047B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 谢欣荣;狄聚青;李京振 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/04 | 分类号： | C30B28/04;C30B15/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶体 及其 生长 方法 | ||
1.一种磷化铟晶体的生长方法，其特征在于，所述生长方法，先后包括多晶合成过程和单晶生长过程；所述多晶合成过程中，In与P的摩尔比为3~3.5:1；
所述多晶合成过程为：将铟块和磷粒放在大气压多晶合成炉内，先缓慢的升高温度使铟熔化，待磷粒被熔化的铟完全吸收后，逐渐升温至1030-1100℃，使熔体均匀，最后降温至室温，得到多晶。
2.如权利要求1所述的磷化铟晶体的生长方法，其特征在于，所述单晶生长过程中，单晶生长的生长速度为0.1-0.3mm/h。
3.如权利要求1所述的磷化铟晶体的生长方法，其特征在于，所述多晶合成过程为：将铟块和磷粒放在大气压多晶合成炉内，先缓慢的升高温度至160℃-200℃，使铟熔化，待磷粒被熔化的铟完全吸收后，逐渐升温至1030-1100℃，使熔体均匀，最后降温至室温，得到多晶。
4.如权利要求3所述的磷化铟晶体的生长方法，其特征在于，使铟熔化后，在160℃-200℃下保温10-20h。
5.如权利要求3所述的磷化铟晶体的生长方法，其特征在于，待磷粒被熔化的铟完全吸收后，逐渐升温至1030-1100℃，再保温5-20h，使熔体均匀。
6.如权利要求1~5任一项所述的磷化铟晶体的生长方法，其特征在于，所述单晶生长过程为：将合成的多晶装入大气压晶体生长炉内，升温至1030-1100℃使多晶熔化，然后降温引晶，晶体生长速率为0.1-0.3mm/h，直至完成晶体生长。
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