[发明专利]功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010409858.9 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111312809B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王东;丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件及其制造方法，所述功率器件包括衬底、形成在所述衬底上的绝缘介质层和埋置在绝缘介质层中的浮空场板，所述衬底具有至少一个沟槽，所述沟槽中形成有栅极结构，所述沟槽外围的衬底中形成有体区，所述体区的表层中形成有导电类型与体区相反的掺杂区，所述浮空场板至少覆盖所述沟槽和所述掺杂区之间的部分交界界面，并与掺杂区和栅极结构均绝缘隔离，由此，通过浮空场板能够减少沟槽顶部的尖端电场的积聚效应，优化掺杂区的电场分布，达到提高器件耐压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路制造（绍兴）有限公司，未经中芯集成电路制造（绍兴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010409858.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
