[发明专利]芯片键合应力的测量方法及芯片键合辅助结构在审

专利信息
申请号: 202010396124.1 申请日: 2020-05-12
公开(公告)号: CN113658880A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 张晟;冯健奇;赵昕 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L23/544;G01N19/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种芯片键合应力的测量方法及芯片键合辅助结构,其中该芯片键合应力的测量方法包括下述步骤:先在第一芯片的第一表面形成一个辅助图案。再将第二芯片的第二表面与第一表面键合,用于形成至少一个围绕辅助图案的间隙空间。接着,分别测量此至少一个间隙空间和辅助图案的多个空间尺寸;并根据此多个空间尺寸来估计第一芯片和第二芯片之间的键合应力。
搜索关键词: 芯片 应力 测量方法 辅助 结构
【主权项】:
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