[发明专利]SiC衬底上GaN器件或电路的梁式引线制备方法有效
| 申请号： | 202010387498.7 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111599703B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 宋旭波;梁士雄;吕元杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体器件制备技术领域，提供了一种SiC衬底上GaN器件或电路的梁式引线制备方法，该方法包括：在SiC衬底上生长GaN外延层，将划片道位置上对应的GaN外延层去除；在去除GaN外延层的划片道位置上沉积第一介质层，并在除划片道位置之外的区域的GaN外延层上完成芯片的正面工艺，得到第一样品；采用激光将第一样品上划片道位置对应的SiC衬底刻蚀掉，得到芯片周围的刻蚀槽；采用蜡将刻蚀槽填平，并粘附到预设托片上，在第一介质层上制备梁式引线，制备工艺简单，器件一致性高，且避免了采用价格较高的光刻胶进行回填，使得降低芯片的制备成本，且降低环境污染，降低工作人员的接触危险。 | ||
| 搜索关键词： | sic 衬底 gan 器件 电路 引线 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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