[发明专利]双多晶电容工艺中清洗元件的方法在审
| 申请号： | 202010378140.8 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111584342A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 缪国源;杨娟娟;朱文闻 | 申请（专利权）人： | 如皋市协创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 崔立青;王玉梅 |
| 地址： | 226500 江苏省南通市如皋*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了双多晶电容工艺中清洗元件的方法，该清洗元件的方法包括以下步骤：氧化清洗液的制备，首先将一定比例的十二碳二元羧酸、三乙醇胺油酸皂、仲烷基硫酸钠和水混合，搅拌加热直至完全溶解，搅拌时长为10‑20min、加热温度维持在45‑60℃，得到混合溶液，并静置，冷却；向步骤一得到的混合溶液中加入聚乙二醇、2,3‑环氧乙烷二羧酸高聚合物和三氯乙烯，搅拌，超声过滤，即得氧化清洗液；本发明所述的双多晶电容工艺中清洗元件的方法，本工艺自制备氧化清洗液，现制现用，能够最大程度的节约材料，同时提高反应活性，使得清洗效果更佳理想，同时本清洗方法采用先氧化后还原的方法，使得清洗更为彻底。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电容 工艺 清洗 元件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于如皋市协创能源科技有限公司，未经如皋市协创能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010378140.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
