[发明专利]薄膜太阳能电池用银复合透明导电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010375502.8 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113628970A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 樊选东 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324;H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池用银复合透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：PECVD成膜结构主要包括栅绝缘层，有源层及欧姆接触层；栅绝缘层包括绝缘层高速成膜及低速成膜；PECVD沉积反应栅绝缘层氮化硅薄膜；S2：TFT器件的制备：采用PVD沉积一层金属薄膜，厚度为250nm，经过涂光阻，曝光，显影后进行刻蚀；利用PECVD真空腔沉积SiNX层，厚度300nm，沉积a‑Si厚度为140nm，制备a‑Si有源层及N+a‑Si层源漏电极沉积；采用磁控溅射沉积和湿法刻蚀，膜厚约50nm；进行退火处理，退火温度为250～400度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 复合 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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