[发明专利]一种基于大尺寸籽晶的氮化铝单晶制备方法在审
| 申请号： | 202010364688.7 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111472045A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 吴洁君;赵起悦;于彤军;朱星宇;韩彤;刘诗宇;沈波 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 黄凤茹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种基于大尺寸籽晶的氮化铝单晶制备方法，采用磁控溅射法沉积氮化铝大尺寸籽晶层，在溅射AlN籽晶层上生长一定厚度的AlN晶体后，调整温场回到正常长时间生长时的状态继续生长AlN，得到大尺寸AlN单晶。本发明中的籽晶表面致密平整，没有原生裂纹，对后续生长获得无裂纹晶体有利；籽晶尺寸可以在面内尺寸上达到2英寸以上，且可根据需要定制不同尺寸，满足2英寸及以上的AlN体单晶的生长；溅射AlN有效降低了成本，提高了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 尺寸 籽晶 氮化 铝单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
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